半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910342961.3

申请日：

2019-04-26

公开(公告)号：

CN110021661B

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

李亦衡朱廷刚杨智超夏远洋王强张葶葶

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

杨奇松

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-17	授权	授权
2019-07-16	公开	公开
2019-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190426

共 50 条

[1]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN109300896B ,2019-02-01

[2]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN109273441A ,2019-01-25

[3]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN109244072B ,2019-01-18

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN114843189A ,2022-08-02

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

杨星梅 ;

冯冠松 ;

薛磊 ;

王健舻 ;

曾明 ;

曾凡清 .

中国专利 :CN112259545B ,2021-01-22

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111129107A ,2020-05-08

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

约瑟夫·俄依恩扎 .

中国专利 :CN102867857A ,2013-01-09

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111129107B ,2024-08-09

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

王健舻 ;

曾明 ;

周文斌 .

中国专利 :CN112582425A ,2021-03-30

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

藤井宏基 .

中国专利 :CN1606171A ,2005-04-13

← 1 2 3 4 5 →