半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410083394.8

申请日：

2004-10-08

公开(公告)号：

CN1606171A

公开(公告)日：

2005-04-13

发明(设计)人：

藤井宏基

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27088 H01L27105 H01L2700

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;陆弋

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101589714000 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2004100833948 申请日:20041008 授权公告日:20081126 终止日期:20131008
2008-11-26	授权	授权
2010-12-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101055384663 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2004100833948 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2005-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102543746A ,2012-07-04

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102592966B ,2012-07-18

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

朱慧珑 ;

刘洪刚 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102315126A ,2012-01-11

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

刘小平 ;

张树昕 .

中国专利 :CN109300976A ,2019-02-01

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘焕新 ;

焦明洁 .

中国专利 :CN104752352A ,2015-07-01

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

杨智超 ;

夏远洋 ;

王强 ;

张葶葶 .

中国专利 :CN110021661B ,2019-07-16

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

林江山 ;

叶蕾 ;

刘俊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118571839A ,2024-08-30

[8]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN109273441A ,2019-01-25

[9]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN109244072B ,2019-01-18

[10]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN109300896B ,2019-02-01

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