半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110005924.7

申请日：

2011-01-12

公开(公告)号：

CN102592966B

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

骆志炯朱慧珑尹海洲

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 H01L2906

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-15	授权	授权
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327317000 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011100059247 申请日:20110112
2012-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102543746A ,2012-07-04

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

程慷果 ;

R·迪瓦卡鲁尼 ;

C·J·拉登斯 .

中国专利 :CN101086993A ,2007-12-12

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

赖惠先 .

中国专利 :CN119008698A ,2024-11-22

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102790006A ,2012-11-21

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN117712143A ,2024-03-15

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

杜小琴 ;

蔡建成 ;

庄二鹏 ;

林昭维 ;

颜逸飞 ;

陈辉煌 .

中国专利 :CN117936458A ,2024-04-26

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

林崇荣 ;

刘家慎 ;

温文华 .

中国专利 :CN117497539A ,2024-02-02

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

李倩 ;

伍术 ;

肖亮 .

中国专利 :CN114005836A ,2022-02-01

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

朱慧珑 ;

刘洪刚 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102315126A ,2012-01-11

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

约瑟夫·俄依恩扎 .

中国专利 :CN102867857A ,2013-01-09

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