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半导体结构及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201110126832.4
申请日：
2011-05-17
公开(公告)号：
CN102790006A
公开(公告)日：
2012-11-21
发明(设计)人：
骆志炯
尹海洲
朱慧珑
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L21336
H01L2978
H01L2906
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
倪斌
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-09-17 | 授权 | 授权 |
| 2012-11-21 | 公开 | 公开 |
| 2020-01-17 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/762 变更事项:专利权人 变更前:北京燕东微电子有限公司 变更后:北京燕东微电子有限公司 变更事项:地址 变更前:100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号 变更后:100020 北京市朝阳区东直门外西八间房 |
| 2013-01-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101378922552 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2011101268324 申请日:20110517 |
| 2015-08-05 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101719032206 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2011101268324 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院微电子研究所 变更后权利人:北京燕东微电子有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号 变更后权利人:100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号 登记生效日:20150717 |