半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510039219.0

申请日：

2025-01-09

公开(公告)号：

CN119905470A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

胡文超王鹏

申请人：

湖北星辰技术有限公司

申请人地址：

430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路12号汇成工业科创园2号楼11F（自贸区武汉片区）

IPC主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/528 H01L23/488 H01L21/60 H01L21/768

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;吴素花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20250109
2025-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

胡文超 ;

王鹏 .

中国专利 :CN119905469A ,2025-04-29

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

黄娟娟 ;

白卫平 ;

肖德元 .

中国专利 :CN114927521A ,2022-08-19

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102790006A ,2012-11-21

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

邓伊筌 ;

沈靖凯 ;

杜荣国 .

中国专利 :CN115196584B ,2025-03-28

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘明源 ;

元琳 ;

孙政 .

中国专利 :CN120730733B ,2025-11-28

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102593037B ,2012-07-18

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘胜 ;

王志燊 ;

汪启军 ;

张召富 ;

吴改 ;

沈威 ;

东芳 ;

梁康 ;

宋云飞 ;

张文泽 .

中国专利 :CN120812960A ,2025-10-17

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

邵光速 ;

肖德元 ;

白卫平 ;

邱云松 .

中国专利 :CN115939043B ,2025-06-03

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

张丽旸 .

中国专利 :CN118676282A ,2024-09-20

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

张卫民 .

中国专利 :CN115411091A ,2022-11-29

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