半导体结构及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202211028523.8

申请日：

2022-08-25

公开(公告)号：

CN115411091A

公开(公告)日：

2022-11-29

发明(设计)人：

张卫民

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L2908

IPC分类号：

H01L2910 H01L27088 H01L218234

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

成丽杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/08 申请日:20220825
2022-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

张卫民 .

中国专利 :CN115411091B ,2024-06-28

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN103021999B ,2013-04-03

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

王鹤飞 ;

骆志炯 ;

刘佳 .

中国专利 :CN102456734B ,2012-05-16

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘胜 ;

王志燊 ;

汪启军 ;

张召富 ;

吴改 ;

沈威 ;

东芳 ;

梁康 ;

宋云飞 ;

张文泽 .

中国专利 :CN120812960A ,2025-10-17

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

黄娟娟 ;

白卫平 ;

肖德元 .

中国专利 :CN114927521A ,2022-08-19

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN114999904A ,2022-09-02

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

孙超 ;

江宁 ;

刘威 .

中国专利 :CN114759030A ,2022-07-15

[8]

半导体结构结构及其制作方法 [P].

戴瑾 ;

邵峰 .

中国专利 :CN119629989B ,2025-11-07

[9]

半导体结构结构及其制作方法 [P].

戴瑾 ;

邵峰 .

中国专利 :CN119629989A ,2025-03-14

[10]

半导体结构及其制作方法以及半导体器件 [P].

冯昕 ;

深作克彦 .

中国专利 :CN119451166A ,2025-02-14

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