半导体结构结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311179672.9

申请日：

2023-09-13

公开(公告)号：

CN119629989A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

戴瑾邵峰

申请人：

北京超弦存储器研究院

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

鲁盛楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230913
2025-11-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构结构及其制作方法 [P].

戴瑾 ;

邵峰 .

中国专利 :CN119629989B ,2025-11-07

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

孙超 ;

江宁 ;

刘威 .

中国专利 :CN114759030A ,2022-07-15

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

黄娟娟 ;

白卫平 ;

肖德元 .

中国专利 :CN114927521A ,2022-08-19

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

王勤 ;

杨征 .

中国专利 :CN118136644A ,2024-06-04

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

张卫民 .

中国专利 :CN115411091A ,2022-11-29

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

王路广 ;

章恒嘉 .

中国专利 :CN115020376A ,2022-09-06

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

张卫民 .

中国专利 :CN115411091B ,2024-06-28

[8]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

王晓光 ;

李辉辉 ;

章纬 .

中国专利 :CN117423654A ,2024-01-19

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

金镇泳 ;

周娜 ;

李俊杰 ;

李琳 .

中国专利 :CN111900166A ,2020-11-06

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955A ,2021-10-22

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