半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010575383.0

申请日：

2020-06-22

公开(公告)号：

CN111900166A

公开(公告)日：

2020-11-06

发明(设计)人：

金镇泳周娜李俊杰李琳

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

佟林松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200622
2020-11-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

裴俊植 ;

高建峰 ;

刘卫兵 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN115084139A ,2022-09-20

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955A ,2021-10-22

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

闫华 .

中国专利 :CN112885773A ,2021-06-01

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

王文奇 ;

李相惇 ;

康卜文 .

中国专利 :CN119603957B ,2025-10-14

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 .

中国专利 :CN113539954A ,2021-10-22

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

程明 ;

金星 ;

李冉 .

中国专利 :CN114203702B ,2025-01-14

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

闫华 .

中国专利 :CN112885773B ,2024-10-22

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

程明 ;

金星 ;

李冉 .

中国专利 :CN114203701A ,2022-03-18

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955B ,2024-02-06

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

王文奇 ;

李相惇 ;

康卜文 .

中国专利 :CN119603957A ,2025-03-11

← 1 2 3 4 5 →