半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911203746.1

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN112885773B

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

闫华

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/532

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

闫华 .

中国专利 :CN112885773A ,2021-06-01

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

金镇泳 ;

周娜 ;

李俊杰 ;

李琳 .

中国专利 :CN111900166A ,2020-11-06

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955A ,2021-10-22

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

王文奇 ;

李相惇 ;

康卜文 .

中国专利 :CN119603957B ,2025-10-14

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 .

中国专利 :CN113539954A ,2021-10-22

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

程明 ;

金星 ;

李冉 .

中国专利 :CN114203702B ,2025-01-14

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

唐小亮 .

中国专利 :CN120812957A ,2025-10-17

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

裴俊植 ;

高建峰 ;

刘卫兵 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN115084139A ,2022-09-20

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

王兆龙 .

中国专利 :CN114420629A ,2022-04-29

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

程明 ;

金星 ;

李冉 .

中国专利 :CN114203701A ,2022-03-18

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