半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311161018.5

申请日：

2023-09-08

公开(公告)号：

CN119603957B

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

王文奇李相惇康卜文

申请人：

北京超弦存储器研究院

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

鲁盛楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-11	公开	公开
2025-10-14	授权	授权
2025-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230908

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

金镇泳 ;

周娜 ;

李俊杰 ;

李琳 .

中国专利 :CN111900166A ,2020-11-06

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955A ,2021-10-22

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

闫华 .

中国专利 :CN112885773A ,2021-06-01

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 .

中国专利 :CN113539954A ,2021-10-22

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

程明 ;

金星 ;

李冉 .

中国专利 :CN114203702B ,2025-01-14

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

闫华 .

中国专利 :CN112885773B ,2024-10-22

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

裴俊植 ;

高建峰 ;

刘卫兵 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN115084139A ,2022-09-20

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

程明 ;

金星 ;

李冉 .

中国专利 :CN114203701A ,2022-03-18

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955B ,2024-02-06

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

王文奇 ;

李相惇 ;

康卜文 .

中国专利 :CN119603957A ,2025-03-11

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