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半导体结构及其制作方法
被引：0
申请号：
CN202110271556.4
申请日：
2021-03-12
公开(公告)号：
CN115084139A
公开(公告)日：
2022-09-20
发明(设计)人：
裴俊植
高建峰
刘卫兵
杨涛
李俊峰
王文武
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人：
董李欣
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-20 | 公开 | 公开 |