半导体结构及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210606136.1

申请日：

2022-05-31

公开(公告)号：

CN115020376A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

王路广章恒嘉

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L27108 H01L2906 H01L21768 H01L218242

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马姣琴;刘芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20220531
2022-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

王勤 ;

杨征 .

中国专利 :CN118136644A ,2024-06-04

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

孙超 ;

江宁 ;

刘威 .

中国专利 :CN114759030A ,2022-07-15

[3]

半导体结构结构及其制作方法 [P].

戴瑾 ;

邵峰 .

中国专利 :CN119629989B ,2025-11-07

[4]

半导体结构结构及其制作方法 [P].

戴瑾 ;

邵峰 .

中国专利 :CN119629989A ,2025-03-14

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

金镇泳 ;

周娜 ;

李俊杰 ;

李琳 .

中国专利 :CN111900166A ,2020-11-06

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955A ,2021-10-22

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

邵光速 ;

肖德元 ;

白卫平 ;

郁梦康 ;

黄娟娟 .

中国专利 :CN115483160A ,2022-12-16

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

丁世汎 ;

黄正同 ;

洪文瀚 ;

郑礼贤 ;

李坤宪 ;

郑子铭 ;

吴劲昌 ;

沈泽民 .

中国专利 :CN101060121A ,2007-10-24

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

闫华 .

中国专利 :CN112885773A ,2021-06-01

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

王文奇 ;

李相惇 ;

康卜文 .

中国专利 :CN119603957B ,2025-10-14

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