半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510816150.8

申请日：

2025-06-18

公开(公告)号：

CN120812960A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

刘胜王志燊汪启军张召富吴改沈威东芳梁康宋云飞张文泽

申请人：

武汉大学

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

IPC主分类号：

H10D8/01

IPC分类号：

H10D8/00 C23C16/40 C23C16/27 C23C16/511 C30B29/16 C30B25/02 C30B29/04 C30B25/18

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

许莲英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 8/01申请日:20250618
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

张卫民 .

中国专利 :CN115411091A ,2022-11-29

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN114999904A ,2022-09-02

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

张卫民 .

中国专利 :CN115411091B ,2024-06-28

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

胡文超 ;

王鹏 .

中国专利 :CN119905469A ,2025-04-29

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN103021999B ,2013-04-03

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

卢志远 .

中国专利 :CN118338662A ,2024-07-12

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

胡荃 .

中国专利 :CN119993911A ,2025-05-13

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102790006A ,2012-11-21

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

金星 .

中国专利 :CN112885782B ,2021-06-01

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

邓伊筌 ;

沈靖凯 ;

杜荣国 .

中国专利 :CN115196584B ,2025-03-28

← 1 2 3 4 5 →