半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210140057.6

申请日：

2022-02-16

公开(公告)号：

CN115196584B

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

邓伊筌沈靖凯杜荣国

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

IPC主分类号：

B81B7/02

IPC分类号：

B81B7/00 B81C1/00

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

李春秀

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

胡文超 ;

王鹏 .

中国专利 :CN119905469A ,2025-04-29

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102790006A ,2012-11-21

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘明源 ;

元琳 ;

孙政 .

中国专利 :CN120730733B ,2025-11-28

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

胡文超 ;

王鹏 .

中国专利 :CN119905470A ,2025-04-29

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102593037B ,2012-07-18

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘胜 ;

王志燊 ;

汪启军 ;

张召富 ;

吴改 ;

沈威 ;

东芳 ;

梁康 ;

宋云飞 ;

张文泽 .

中国专利 :CN120812960A ,2025-10-17

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

邵光速 ;

肖德元 ;

白卫平 ;

邱云松 .

中国专利 :CN115939043B ,2025-06-03

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

黄娟娟 ;

白卫平 ;

肖德元 .

中国专利 :CN114927521A ,2022-08-19

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

张丽旸 .

中国专利 :CN118676282A ,2024-09-20

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

张卫民 .

中国专利 :CN115411091A ,2022-11-29

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