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半导体结构及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511150144.X
申请日：
2025-08-15
公开(公告)号：
CN120730733B
公开(公告)日：
2025-11-28
发明(设计)人：
刘明源
元琳
孙政
申请人：
长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢5层501-10
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
王娜丽;蒋雅洁
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-30 | 公开 | 公开 |
| 2025-10-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20250815 |
| 2025-11-28 | 授权 | 授权 |