半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510098686.7

申请日：

2015-03-05

公开(公告)号：

CN105990289A

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

夏禹

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686681511 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:2015100986867 申请日:20150305
2019-11-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 23/485 申请公布日:20161005
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

陶磊 ;

冯永波 ;

王厚有 ;

刘西域 .

中国专利 :CN111933572A ,2020-11-13

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102790006A ,2012-11-21

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

秦晓珊 .

中国专利 :CN111524849A ,2020-08-11

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

詹益旺 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

颜逸飞 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN118019331A ,2024-05-10

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

詹益旺 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

颜逸飞 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN113437067A ,2021-09-24

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

詹益旺 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

颜逸飞 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN118119181A ,2024-05-31

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102593037B ,2012-07-18

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

黄吉河 .

中国专利 :CN117690862A ,2024-03-12

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378102B ,2013-10-30

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

詹益旺 ;

林刚毅 ;

刘安淇 ;

颜逸飞 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN113437067B ,2024-01-23

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