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半导体器件结构及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811021271.X
申请日：
2018-09-03
公开(公告)号：
CN109300896B
公开(公告)日：
2019-02-01
发明(设计)人：
肖德元
申请人：
申请人地址：
266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
IPC主分类号：
H01L27092
IPC分类号：
H01L218238
H01L29423
H01L29786
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
罗泳文
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-03-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20180903 |
| 2020-10-09 | 授权 | 授权 |
| 2019-02-01 | 公开 | 公开 |