共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置
被引：0
申请号：
CN202210629602.8
申请日：
2022-06-06
公开(公告)号：
CN115394916A
公开(公告)日：
2022-11-25
发明(设计)人：
仇圣棻
陈亮
杨芸
申请人：
申请人地址：
311305 浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1788号
IPC主分类号：
H01L4500
IPC分类号：
H01L2724
代理机构：
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327
代理人：
袁文婷;张娓娓
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-11-25 | 公开 | 公开 |
| 2022-12-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20220606 |