固化多孔低介电常数层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710004070.4

申请日：

2007-01-23

公开(公告)号：

CN101231950A

公开(公告)日：

2008-07-30

发明(设计)人：

陈美玲赖国智宋述仁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-30	公开	公开
2009-12-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2008-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低介电常数层的制造方法 [P].

黎丽萍 ;

吕新贤 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1327494C ,2004-06-02

[2]

处理多孔超低介电常数层的方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103178001A ,2013-06-26

[3]

低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法 [P].

清水秀治 ;

永野修次 ;

大桥芳 ;

加田武史 ;

菅原久胜 .

中国专利 :CN102906865A ,2013-01-30

[4]

改进低介电常数层的粘附强度的方法 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN100459064C ,2007-06-20

[5]

一种低介电常数层的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103794491B ,2014-05-14

[6]

低介电常数层间介质薄膜及其形成方法 [P].

J·L·文森特 ;

M·L·奥内尔 ;

小H·P·威瑟斯 ;

S·E·贝克 ;

R·N·弗蒂斯 .

中国专利 :CN100410420C ,2005-07-27

[7]

多孔低介电常数材料的等离子固化方法 [P].

R·奥巴诺 ;

C·巴格隆 ;

I·L·贝瑞三世 ;

J·比勒密尔 ;

P·德姆博斯克 ;

O·埃斯克斯雅 ;

Q·翰 ;

N·斯布罗科 ;

C·瓦尔德福理德 .

中国专利 :CN1695235A ,2005-11-09

[8]

超低介电常数层的制作方法 [P].

周鸣 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102881584A ,2013-01-16

[9]

超低介电常数层的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102881630A ,2013-01-16

[10]

用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法 [P].

刘俊军 ;

多雷尔·I·托玛 ;

埃里克·M·李 .

中国专利 :CN101960556A ,2011-01-26

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