超低介电常数层的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110193916.X

申请日：

2011-07-12

公开(公告)号：

CN102881584A

公开(公告)日：

2013-01-16

发明(设计)人：

周鸣洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-16	公开	公开
2016-01-20	授权	授权
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101401522736 IPC(主分类):H01L 21/31 专利申请号:201110193916X 申请日:20110712

共 50 条

[1]

超低介电常数层的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102881630A ,2013-01-16

[2]

处理多孔超低介电常数层的方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103178001A ,2013-06-26

[3]

一种低介电常数层的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103794491B ,2014-05-14

[4]

具有受控的双轴应力的超低介电常数层 [P].

C·D·迪米特罗普洛斯 ;

S·M·盖茨 ;

A·格里尔 ;

M·W·莱恩 ;

E·G·利宁格 ;

刘小虎 ;

S·V·恩古源 ;

D·A·诺伊迈尔 ;

T·M·肖 .

中国专利 :CN101548362A ,2009-09-30

[5]

低介电常数层的制造方法 [P].

黎丽萍 ;

吕新贤 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1327494C ,2004-06-02

[6]

超低介电常数薄膜铜互连的制作方法 [P].

陈玉文 .

中国专利 :CN102364669A ,2012-02-29

[7]

固化多孔低介电常数层的方法 [P].

陈美玲 ;

赖国智 ;

宋述仁 .

中国专利 :CN101231950A ,2008-07-30

[8]

低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法 [P].

清水秀治 ;

永野修次 ;

大桥芳 ;

加田武史 ;

菅原久胜 .

中国专利 :CN102906865A ,2013-01-30

[9]

超低介电常数薄膜铜互连的制作方法 [P].

陈玉文 .

中国专利 :CN102324403A ,2012-01-18

[10]

低介电常数介质层的制作方法 [P].

H·萨赫德夫 ;

G·梁 ;

J·拉普 ;

M·马特拉一龙戈 ;

N·萨马 ;

S·梅斯纳 .

中国专利 :CN1883038A ,2006-12-20

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