低介电常数介质层的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200480034184.8
申请日
2004-09-18
公开(公告)号
CN1883038A
公开(公告)日
2006-12-20
发明(设计)人
H·萨赫德夫 G·梁 J·拉普 M·马特拉一龙戈 N·萨马 S·梅斯纳
申请人
申请人地址
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号
H01L21312
IPC分类号
H01L21316
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
程天正;王忠忠
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
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