低介电常数金属层间介质层结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010588223.X

申请日：

2020-06-24

公开(公告)号：

CN113838907A

公开(公告)日：

2021-12-24

发明(设计)人：

李南照王桂磊孔真真杨涛李俊峰王文武

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21762 H01L21768

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

付婧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200624
2021-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

低介电常数层间介质薄膜及其形成方法 [P].

J·L·文森特 ;

M·L·奥内尔 ;

小H·P·威瑟斯 ;

S·E·贝克 ;

R·N·弗蒂斯 .

中国专利 :CN100410420C ,2005-07-27

[2]

介电常数可调的铜互连层间介质之制造方法 [P].

曾林华 ;

任昱 ;

吕煜坤 ;

张旭升 .

中国专利 :CN103325730A ,2013-09-25

[3]

一种低介电常数金属间介质层刻蚀方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103515299B ,2014-01-15

[4]

低介电常数介质层及金属互连结构的制作方法 [P].

张正 ;

庄琼阳 ;

贾晓峰 ;

陈献龙 .

中国专利 :CN116190209B ,2024-03-22

[5]

降低层间介质层介电常数的方法 [P].

王新鹏 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103165517B ,2013-06-19

[6]

降低层间介质层介电常数的方法 [P].

张海洋 ;

王新鹏 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103094191B ,2013-05-08

[7]

低介电常数材料层的制造方法 [P].

谢宗棠 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN1409381A ,2003-04-09

[8]

低介电常数层的制造方法 [P].

黎丽萍 ;

吕新贤 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1327494C ,2004-06-02

[9]

低介电常数介质层的制作方法 [P].

H·萨赫德夫 ;

G·梁 ;

J·拉普 ;

M·马特拉一龙戈 ;

N·萨马 ;

S·梅斯纳 .

中国专利 :CN1883038A ,2006-12-20

[10]

低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法 [P].

清水秀治 ;

永野修次 ;

大桥芳 ;

加田武史 ;

菅原久胜 .

中国专利 :CN102906865A ,2013-01-30

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