低介电常数层间介质薄膜及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510008055.8

申请日：

2002-01-17

公开(公告)号：

CN100410420C

公开(公告)日：

2005-07-27

发明(设计)人：

J·L·文森特 M·L·奥内尔小H·P·威瑟斯 S·E·贝克 R·N·弗蒂斯

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C08L8304 H01L21316

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

段晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-13	授权	授权
2017-07-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件序号:101755066580 号牌文件类型代码:1602 IPC(主分类):C23C 16/30 专利号:ZL2005100080558 登记生效日:20170622 变更事项:专利权人变更前权利人:气体产品与化学公司变更后权利人:弗萨姆材料美国有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国宾夕法尼亚州变更后权利人:美国亚利桑那州
2022-02-08	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20020117 授权公告日:20080813
2005-07-27	公开	公开

共 50 条

[1]

用于低介电常数层间介质薄膜的有机硅前体 [P].

J·L·文森特 ;

M·L·奥内尔 ;

小H·P·威瑟斯 ;

S·E·贝克 ;

R·N·弗蒂斯 .

中国专利 :CN1367205A ,2002-09-04

[2]

低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法 [P].

清水秀治 ;

永野修次 ;

大桥芳 ;

加田武史 ;

菅原久胜 .

中国专利 :CN102906865A ,2013-01-30

[3]

低介电常数层的制造方法 [P].

黎丽萍 ;

吕新贤 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1327494C ,2004-06-02

[4]

固化多孔低介电常数层的方法 [P].

陈美玲 ;

赖国智 ;

宋述仁 .

中国专利 :CN101231950A ,2008-07-30

[5]

低介电常数金属层间介质层结构及其制造方法 [P].

李南照 ;

王桂磊 ;

孔真真 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN113838907A ,2021-12-24

[6]

低介电常数介电层的形成方法 [P].

陈奕伊 ;

包天一 ;

郑双铭 ;

余振华 .

中国专利 :CN101005023A ,2007-07-25

[7]

低介电常数材料层的制造方法 [P].

谢宗棠 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN1409381A ,2003-04-09

[8]

改进低介电常数层的粘附强度的方法 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN100459064C ,2007-06-20

[9]

低介电常数膜及其制备方法 [P].

宗坚 .

中国专利 :CN110158052B ,2019-08-23

[10]

低介电常数薄膜层的制备方法 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN104392957A ,2015-03-04

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