一种低介电常数金属间介质层刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210219759.X

申请日：

2012-06-28

公开(公告)号：

CN103515299B

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

王新鹏张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571929165 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201210219759X 申请日:20120628
2014-01-15	公开	公开
2016-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

低介电常数金属层间介质层结构及其制造方法 [P].

李南照 ;

王桂磊 ;

孔真真 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN113838907A ,2021-12-24

[2]

刻蚀低介电常数膜的方法 [P].

克里斯托弗·N·奥东尼奥 .

中国专利 :CN101047132A ,2007-10-03

[3]

低介电常数材料刻蚀的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102024697A ,2011-04-20

[4]

低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法 [P].

清水秀治 ;

永野修次 ;

大桥芳 ;

加田武史 ;

菅原久胜 .

中国专利 :CN102906865A ,2013-01-30

[5]

低介电常数层间介质薄膜及其形成方法 [P].

J·L·文森特 ;

M·L·奥内尔 ;

小H·P·威瑟斯 ;

S·E·贝克 ;

R·N·弗蒂斯 .

中国专利 :CN100410420C ,2005-07-27

[6]

一种制备低介电常数介质层的方法 [P].

朱建军 .

中国专利 :CN111446152A ,2020-07-24

[7]

低介电常数介质层的制作方法 [P].

H·萨赫德夫 ;

G·梁 ;

J·拉普 ;

M·马特拉一龙戈 ;

N·萨马 ;

S·梅斯纳 .

中国专利 :CN1883038A ,2006-12-20

[8]

一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法 [P].

丁士进 ;

蒋涛 ;

王鹏飞 ;

张卫 .

中国专利 :CN103000513B ,2013-03-27

[9]

降低层间介质层介电常数的方法 [P].

王新鹏 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103165517B ,2013-06-19

[10]

降低层间介质层介电常数的方法 [P].

张海洋 ;

王新鹏 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103094191B ,2013-05-08

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