超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810208164.1

申请日：

2018-03-14

公开(公告)号：

CN108630578A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

夸梅·伊森杨邓良皮利翁·帕克费萨尔·雅各布朴俊洪马克·川口艾夫林·安格洛夫朱吉常萧伟

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-09	公开	公开
2020-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20180314

共 50 条

[1]

用于超高选择性的氮化物蚀刻的系统和方法 [P].

杨邓良 ;

费萨尔·雅各布 ;

皮利翁·帕克 ;

海伦·H·朱 ;

朴俊洪 .

中国专利 :CN106601612A ,2017-04-26

[2]

选择性氮化物蚀刻 [P].

伊凡·L·贝瑞三世 ;

伊夫兰·安格洛夫 ;

琳达·马克斯 ;

费萨尔·雅各布 ;

皮利翁·帕克 ;

海伦·H·朱 ;

贝尤·阿特马加·西德乔伊斯沃罗 ;

李昭 .

中国专利 :CN105719949A ,2016-06-29

[3]

金属氮化物的选择性湿蚀刻 [P].

威廉·A·沃伊特恰克 ;

迪安·德维尔夫 .

中国专利 :CN101248516A ,2008-08-20

[4]

高选择性氮化物蚀刻工艺 [P].

J·B·张 ;

S·U·恩格尔曼 ;

N·C·M·富勒 ;

M·A·古罗恩 ;

中村昌洋 .

中国专利 :CN103890918A ,2014-06-25

[5]

选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 [P].

陈天牛 ;

尼科勒·E·托马斯 ;

斯蒂芬·里皮 ;

杰弗里·A·巴内斯 ;

埃马纽尔·I·库珀 ;

张鹏 .

中国专利 :CN105304485A ,2016-02-03

[6]

选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 [P].

陈天牛 ;

尼科勒·E·托马斯 ;

斯蒂芬·里皮 ;

杰弗里·A·巴内斯 ;

埃马纽尔·I·库珀 ;

张鹏 .

中国专利 :CN103154321A ,2013-06-12

[7]

过渡金属氮化物材料的选择性移除 [P].

王柏玮 ;

X·C·陈 ;

R·P·雷迪 ;

O·贾恩 ;

崔振江 ;

王安川 .

美国专利 :CN117597769A ,2024-02-23

[8]

通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻 [P].

蔡宇浩 ;

张度 ;

王明美 .

中国专利 :CN113785383A ,2021-12-10

[9]

通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻 [P].

蔡宇浩 ;

张度 ;

王明美 .

日本专利 :CN113785383B ,2025-11-11

[10]

用于选择性蚀刻氧化物和氮化物材料的技术及使用该技术形成的产品 [P].

J·A·法默 ;

G·特里奇 ;

J·桑福德 ;

D·B·伯格斯特龙 .

中国专利 :CN105765704B ,2016-07-13

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