用于超高选择性的氮化物蚀刻的系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610902633.0

申请日：

2016-10-17

公开(公告)号：

CN106601612A

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

杨邓良费萨尔·雅各布皮利翁·帕克海伦·H·朱朴俊洪

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L2167 H01J3732

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;张华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-08	授权	授权
2017-04-26	公开	公开
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721560409 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2016109026330 申请日:20161017

共 50 条

[1]

超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件 [P].

夸梅·伊森 ;

杨邓良 ;

皮利翁·帕克 ;

费萨尔·雅各布 ;

朴俊洪 ;

马克·川口 ;

艾夫林·安格洛夫 ;

朱吉 ;

常萧伟 .

中国专利 :CN108630578A ,2018-10-09

[2]

选择性氮化物蚀刻 [P].

伊凡·L·贝瑞三世 ;

伊夫兰·安格洛夫 ;

琳达·马克斯 ;

费萨尔·雅各布 ;

皮利翁·帕克 ;

海伦·H·朱 ;

贝尤·阿特马加·西德乔伊斯沃罗 ;

李昭 .

中国专利 :CN105719949A ,2016-06-29

[3]

硅-碳-氮化物的选择性蚀刻 [P].

陈智君 ;

张景春 ;

王安川 ;

N·K·英格尔 .

中国专利 :CN104838479B ,2015-08-12

[4]

金属氮化物的选择性湿蚀刻 [P].

威廉·A·沃伊特恰克 ;

迪安·德维尔夫 .

中国专利 :CN101248516A ,2008-08-20

[5]

高选择性氮化物蚀刻工艺 [P].

J·B·张 ;

S·U·恩格尔曼 ;

N·C·M·富勒 ;

M·A·古罗恩 ;

中村昌洋 .

中国专利 :CN103890918A ,2014-06-25

[6]

选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 [P].

陈天牛 ;

尼科勒·E·托马斯 ;

斯蒂芬·里皮 ;

杰弗里·A·巴内斯 ;

埃马纽尔·I·库珀 ;

张鹏 .

中国专利 :CN105304485A ,2016-02-03

[7]

选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 [P].

陈天牛 ;

尼科勒·E·托马斯 ;

斯蒂芬·里皮 ;

杰弗里·A·巴内斯 ;

埃马纽尔·I·库珀 ;

张鹏 .

中国专利 :CN103154321A ,2013-06-12

[8]

选择性蚀刻氮化硅的方法 [P].

杨玮盈 ;

高德丰 ;

约翰·苏迪约诺 ;

米哈伊尔·科里奥克 ;

保罗·E·吉 ;

蔡泰正 ;

菲利普·A·克劳斯 .

美国专利 :CN120981898A ,2025-11-18

[9]

用于选择性蚀刻氮化硅的组合物和方法 [P].

余珠姬 ;

洪性辰 ;

金元来 ;

朴永勋 ;

姜娟熹 ;

郑珍煜 .

美国专利 :CN120835921A ,2025-10-24

[10]

氮化硅的选择性蚀刻 [P].

Z·陈 ;

Z·李 ;

A·王 ;

N·K·英格尔 ;

S·文卡特拉曼 .

中国专利 :CN105580118B ,2016-05-11

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