NORD Flash器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110647549.X

申请日：

2021-06-09

公开(公告)号：

CN113488478A

公开(公告)日：

2021-10-08

发明(设计)人：

张剑熊伟陈华伦

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711568

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

罗雅文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	公开	公开
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20210609

共 50 条

[1]

NORD flash器件及其制造方法 [P].

王进峰 ;

张超然 ;

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN114023746A ,2022-02-08

[2]

NORD闪存器件的制作方法 [P].

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112185972B ,2021-01-05

[3]

NORD闪存器件结构及其制作方法 [P].

黄云龙 ;

熊伟 ;

张剑 ;

徐然 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN113224068A ,2021-08-06

[4]

NORD闪存及其制作方法 [P].

徐然 ;

徐晓俊 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN111696991B ,2020-09-22

[5]

闪存器件及其制作方法 [P].

杜怡行 ;

王壮壮 ;

王虎 ;

姚春 .

中国专利 :CN115411045A ,2022-11-29

[6]

闪存器件及其制作方法 [P].

陈建奇 .

中国专利 :CN112530963A ,2021-03-19

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04

[8]

NORD闪存的制作方法 [P].

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112259541B ,2021-01-22

[9]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

魏琰 ;

宋化龙 .

中国专利 :CN105097917A ,2015-11-25

[10]

NROM器件及其制作方法 [P].

鲍震雷 ;

宋立军 .

中国专利 :CN101587864A ,2009-11-25

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