一种通过镀金键合铜丝连接的半导体封装件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820048316.8

申请日：

2008-05-21

公开(公告)号：

CN201213132Y

公开(公告)日：

2009-03-25

发明(设计)人：

袁毅

申请人：

申请人地址：

528400广东省中山市火炬开发区民园中路5号

IPC主分类号：

H01L2349

IPC分类号：

H01L23488 H01L23495

代理机构：

中山市科创专利代理有限公司

代理人：

尹文涛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-25	授权	授权
2014-07-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583691704 IPC(主分类):H01L 23/49 专利号:ZL2008200483168 申请日:20080521 授权公告日:20090325 终止日期:20130521

共 50 条

[1]

一种通过镀银键合铜丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201681830U ,2010-12-22

[2]

一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201681829U ,2010-12-22

[3]

一种通过表面包覆铂层的键合铜丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202159661U ,2012-03-07

[4]

一种通过绝缘键合丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201191608Y ,2009-02-04

[5]

一种通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018994U ,2011-10-26

[6]

通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202025756U ,2011-11-02

[7]

一种通过表面包覆钯层的键合银丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202153515U ,2012-02-29

[8]

一种通过镀银键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018996U ,2011-10-26

[9]

一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018995U ,2011-10-26

[10]

一种通过镀钯键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018999U ,2011-10-26

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