一种通过表面包覆钯层的键合银丝连接的半导体封装件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120259077.2

申请日：

2011-07-21

公开(公告)号：

CN202153515U

公开(公告)日：

2012-02-29

发明(设计)人：

袁毅

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区东兴中路8号A5栋

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2300

代理机构：

中山市科创专利代理有限公司 44211

代理人：

谢自安

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-29	授权	授权
2014-09-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586818853 IPC(主分类):H01L 23/488 专利号:ZL2011202590772 申请日:20110721 授权公告日:20120229 终止日期:20130721

共 50 条

[1]

一种通过表面包覆铂层的键合铜丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202159661U ,2012-03-07

[2]

通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202172068U ,2012-03-21

[3]

一种通过镀银键合铜丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201681830U ,2010-12-22

[4]

一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201681829U ,2010-12-22

[5]

一种通过绝缘键合丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201191608Y ,2009-02-04

[6]

一种通过镀金键合铜丝连接的半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201213132Y ,2009-03-25

[7]

一种通过键合银丝连接的半导体发光二极管二次封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202153539U ,2012-02-29

[8]

一种通过镀钯键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN202018999U ,2011-10-26

[9]

一种半导体封装件 [P].

袁毅 .

中国专利 :CN201796880U ,2011-04-13

[10]

带有导线键合的半导体封装件 [P].

A·P·乔希 ;

G·拉金德兰 ;

B·帕克斯 .

中国专利 :CN105308744A ,2016-02-03

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