一种响应度可调的硅光电探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310280622.X

申请日：

2013-07-05

公开(公告)号：

CN103367519A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

黄永光朱洪亮

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L31101

IPC分类号：

H01L310288 H01L310352 H01L310224 H01L3118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101732263744 IPC(主分类):H01L 31/101 专利申请号:201310280622X 申请公布日:20131023
2013-10-23	公开	公开
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542125974 IPC(主分类):H01L 31/101 专利申请号:201310280622X 申请日:20130705

共 50 条

[1]

具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 [P].

刘德伟 ;

黄永光 ;

朱小宁 ;

王熙元 ;

马丽 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN102227005A ,2011-10-26

[2]

响应度空间可变PIN光电探测器及其制作方法 [P].

鲁卿 ;

向勇军 ;

谭千里 ;

孙诗 ;

曹飞 .

中国专利 :CN103646985B ,2014-03-19

[3]

近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

黄建 ;

江海波 ;

李睿智 ;

黄烈云 .

中国专利 :CN106449856A ,2017-02-22

[4]

硅基近红外光电探测器结构及其制作方法 [P].

胡少旭 ;

韩培德 ;

李辛毅 ;

毛雪 ;

高利朋 .

中国专利 :CN102903781A ,2013-01-30

[5]

硅基光电探测器及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23

[6]

硅基高速高响应PIN光电探测器及其制作方法 [P].

向勇军 ;

张鎏 ;

黄烈云 .

中国专利 :CN109686805B ,2019-04-26

[7]

光电探测器及其制作方法、光电探测器织物 [P].

武青青 ;

胡少坚 ;

朱建军 .

中国专利 :CN108155294A ,2018-06-12

[8]

光电探测器、集成光电探测器及其制作方法 [P].

张济志 .

中国专利 :CN111312848A ,2020-06-19

[9]

光电探测器及其制作方法 [P].

黄宏娟 ;

赵德胜 ;

张宝顺 ;

陆书龙 ;

曾中明 .

中国专利 :CN115692536A ,2023-02-03

[10]

光电探测器及其制作方法 [P].

金山 ;

陆书龙 ;

边历峰 ;

李雪飞 ;

杨文献 ;

邱海兵 .

中国专利 :CN114005895B ,2024-04-09

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