用于检测和/或发射电磁辐射的器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010212853.3

申请日：

2010-06-12

公开(公告)号：

CN102012269A

公开(公告)日：

2011-04-13

发明(设计)人：

让-鲁伊斯·乌弗里尔-巴菲特

申请人：

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

G01J502

IPC分类号：

G01J510 G01R2908

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	授权	授权
2011-04-13	公开	公开
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101672703303 IPC(主分类):G01J 5/02 专利号:ZL2010102128533 申请日:20100612 授权公告日:20141015 终止日期:20150612
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101287911359 IPC(主分类):G01J 5/02 专利申请号:2010102128533 申请日:20100612

共 50 条

[1]

用于制造发射电磁辐射的组件的方法和发射电磁辐射的组件 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔 ;

马西亚斯·沃尔夫 ;

格奥尔格·迪舍尔 .

中国专利 :CN105229802A ,2016-01-06

[2]

用于发射电磁辐射的光电子器件的壳体，发射电磁辐射的器件和用于制造壳体或者器件的方法 [P].

莫里茨·恩格尔 ;

弗罗林·奥斯瓦尔德 .

中国专利 :CN101223836B ,2013-05-22

[3]

用于发射电磁辐射的装置 [P].

R.菲克斯 ;

P.松斯特勒姆 ;

G.德勒 .

中国专利 :CN104251833A ,2014-12-31

[4]

发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体 [P].

迈克·伯尔纳 ;

弗兰克·默尔梅尔 .

中国专利 :CN101048879A ,2007-10-03

[5]

用于反射电磁辐射的器件 [P].

格雷戈里·史蒂文·李 ;

罗伯特·C·泰伯 ;

约翰·斯蒂夫·考弗尔 .

中国专利 :CN1780050B ,2006-05-31

[6]

具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法 [P].

T·施瓦茨 ;

S·威特曼 ;

A·普洛斯尔 .

中国专利 :CN114175286A ,2022-03-11

[7]

具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法 [P].

T·施瓦茨 ;

S·威特曼 ;

A·普洛斯尔 .

德国专利 :CN114175286B ,2025-06-06

[8]

用于生产发射电磁辐射的半导体芯片的方法和发射电磁辐射的半导体芯片 [P].

C·卡努特施 ;

P·施陶斯 ;

K·施特罗伊贝尔 .

中国专利 :CN1679176A ,2005-10-05

[9]

发射电磁辐射的管子、装置及其方法 [P].

克里斯琴·卢姆普 .

中国专利 :CN1288585A ,2001-03-21

[10]

用于发射电磁辐射的微装置 [P].

杰斯伯·格鲁克斯塔德 ;

达尔文·帕里马 .

中国专利 :CN103858015A ,2014-06-11

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