具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080054873.4

申请日：

2020-05-27

公开(公告)号：

CN114175286A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

T·施瓦茨 S·威特曼 A·普洛斯尔

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

H01L3300 H01L25075

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张涛;刘春元

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	公开	公开
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/62 申请日:20200527

共 50 条

[1]

具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法 [P].

T·施瓦茨 ;

S·威特曼 ;

A·普洛斯尔 .

德国专利 :CN114175286B ,2025-06-06

[2]

发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体 [P].

迈克·伯尔纳 ;

弗兰克·默尔梅尔 .

中国专利 :CN101048879A ,2007-10-03

[3]

用于生产发射电磁辐射的半导体芯片的方法和发射电磁辐射的半导体芯片 [P].

C·卡努特施 ;

P·施陶斯 ;

K·施特罗伊贝尔 .

中国专利 :CN1679176A ,2005-10-05

[4]

用于制造发射电磁辐射的组件的方法和发射电磁辐射的组件 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔 ;

马西亚斯·沃尔夫 ;

格奥尔格·迪舍尔 .

中国专利 :CN105229802A ,2016-01-06

[5]

发射电磁辐射的管子、装置及其方法 [P].

克里斯琴·卢姆普 .

中国专利 :CN1288585A ,2001-03-21

[6]

用于检测和/或发射电磁辐射的器件及其制造方法 [P].

让-鲁伊斯·乌弗里尔-巴菲特 .

中国专利 :CN102012269A ,2011-04-13

[7]

用于发射电磁辐射的装置 [P].

R.菲克斯 ;

P.松斯特勒姆 ;

G.德勒 .

中国专利 :CN104251833A ,2014-12-31

[8]

用于发射电磁辐射的光电子器件的壳体，发射电磁辐射的器件和用于制造壳体或者器件的方法 [P].

莫里茨·恩格尔 ;

弗罗林·奥斯瓦尔德 .

中国专利 :CN101223836B ,2013-05-22

[9]

发射辐射的半导体器件及其制造方法 [P].

M.维特曼恩 .

中国专利 :CN106025051B ,2016-10-12

[10]

发射辐射的半导体本体、用于制造发射辐射的半导体本体的方法和发射辐射的半导体器件 [P].

赫贝特·布伦纳 ;

帕特里克·宁斯 .

中国专利 :CN102934244B ,2013-02-13

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