发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580036291.9

申请日：

2005-10-25

公开(公告)号：

CN101048879A

公开(公告)日：

2007-10-03

发明(设计)人：

迈克·伯尔纳弗兰克·默尔梅尔

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-08	授权	授权
2007-10-03	公开	公开

共 50 条

[1]

用于发射电磁辐射的光电子器件的壳体，发射电磁辐射的器件和用于制造壳体或者器件的方法 [P].

莫里茨·恩格尔 ;

弗罗林·奥斯瓦尔德 .

中国专利 :CN101223836B ,2013-05-22

[2]

具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法 [P].

T·施瓦茨 ;

S·威特曼 ;

A·普洛斯尔 .

中国专利 :CN114175286A ,2022-03-11

[3]

具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法 [P].

T·施瓦茨 ;

S·威特曼 ;

A·普洛斯尔 .

德国专利 :CN114175286B ,2025-06-06

[4]

用于生产发射电磁辐射的半导体芯片的方法和发射电磁辐射的半导体芯片 [P].

C·卡努特施 ;

P·施陶斯 ;

K·施特罗伊贝尔 .

中国专利 :CN1679176A ,2005-10-05

[5]

发射辐射的半导体芯片和发射辐射的半导体器件 [P].

坦森·瓦尔盖斯 ;

布鲁诺·延奇 .

中国专利 :CN113646892A ,2021-11-12

[6]

发射辐射的半导体芯片和发射辐射的半导体器件 [P].

坦森·瓦尔盖斯 ;

布鲁诺·延奇 .

德国专利 :CN113646892B ,2024-12-24

[7]

发射辐射的半导体器件 [P].

K.贝格内克 ;

M.阿尔斯泰特 ;

U.利波尔德 .

中国专利 :CN102656713A ,2012-09-05

[8]

用于反射电磁辐射的器件 [P].

格雷戈里·史蒂文·李 ;

罗伯特·C·泰伯 ;

约翰·斯蒂夫·考弗尔 .

中国专利 :CN1780050B ,2006-05-31

[9]

发射辐射半导体器件 [P].

D·艾斯塞特 ;

V·赫尔勒 ;

F·科赫恩 ;

M·蒙德布劳德-范格罗 ;

U·斯特劳斯 ;

U·泽赫恩德 ;

J·鮑尔 ;

U·杰科布 ;

E·尼斯奇尔 ;

N·林德 ;

R·塞德梅尔 .

中国专利 :CN101604723A ,2009-12-16

[10]

发射辐射的半导体器件和用于制造发射辐射的半导体器件的方法 [P].

托马斯·施瓦茨 .

德国专利 :CN119769205A ,2025-04-04

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