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一种低功耗低电压低温漂的带隙基准电压源
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110679332.7
申请日
:
2021-06-18
公开(公告)号
:
CN113608568B
公开(公告)日
:
2021-11-05
发明(设计)人
:
李振荣
田辉
余立艳
申请人
:
申请人地址
:
710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号
:
G05F1567
IPC分类号
:
代理机构
:
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人
:
刘长春
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-08-12
授权
授权
2021-11-05
公开
公开
2021-11-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20210618
共 50 条
[21]
一种低温漂带隙基准电压源电路
[P].
寿晓强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海治精微电子有限公司
上海治精微电子有限公司
寿晓强
.
中国专利
:CN110597346B
,2024-08-30
[22]
一种超低温漂的带隙基准电压源
[P].
刘继山
论文数:
0
引用数:
0
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刘继山
;
顾蔚如
论文数:
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顾蔚如
;
晏进喜
论文数:
0
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晏进喜
;
恽廷华
论文数:
0
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0
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0
恽廷华
.
中国专利
:CN113703511B
,2021-11-26
[23]
低电压带隙基准电压源
[P].
叶春
论文数:
0
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0
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0
叶春
.
中国专利
:CN203232347U
,2013-10-09
[24]
采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源
[P].
方华军
论文数:
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0
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方华军
;
赵晓
论文数:
0
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赵晓
;
许军
论文数:
0
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许军
;
梁仁荣
论文数:
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梁仁荣
;
王敬
论文数:
0
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0
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0
王敬
.
中国专利
:CN102096436B
,2013-10-16
[25]
低电压CMOS带隙基准电压源
[P].
范涛
论文数:
0
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0
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范涛
;
袁国顺
论文数:
0
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0
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0
袁国顺
.
中国专利
:CN101630176B
,2010-01-20
[26]
一种高电源抑制比低温漂带隙基准电压源
[P].
宋明歆
论文数:
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宋明歆
;
樊旭尧
论文数:
0
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樊旭尧
;
杨美中
论文数:
0
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0
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杨美中
.
中国专利
:CN108445956A
,2018-08-24
[27]
一种超低功耗低电压低温漂的亚阈值基准电压产生电路
[P].
段权珍
论文数:
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0
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0
段权珍
;
刘培举
论文数:
0
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刘培举
;
黄胜明
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0
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黄胜明
;
孟真
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孟真
;
丁月民
论文数:
0
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0
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0
丁月民
.
中国专利
:CN110377095A
,2019-10-25
[28]
一种超低功耗低电压低温漂的亚阈值基准电压产生电路
[P].
黄胜明
论文数:
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0
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0
黄胜明
;
汪煊
论文数:
0
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0
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汪煊
;
段权珍
论文数:
0
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0
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0
段权珍
;
丁月民
论文数:
0
引用数:
0
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0
丁月民
.
中国专利
:CN109375688B
,2019-02-22
[29]
一种低温漂的双极带隙基准电压源
[P].
李新瑞
论文数:
0
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机构:
西安微电子技术研究所
西安微电子技术研究所
李新瑞
;
尤路
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0
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机构:
西安微电子技术研究所
西安微电子技术研究所
尤路
;
廖雪
论文数:
0
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机构:
西安微电子技术研究所
西安微电子技术研究所
廖雪
;
向宏莉
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0
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机构:
西安微电子技术研究所
西安微电子技术研究所
向宏莉
;
魏海龙
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机构:
西安微电子技术研究所
西安微电子技术研究所
魏海龙
;
王勇
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机构:
西安微电子技术研究所
西安微电子技术研究所
王勇
;
王清波
论文数:
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0
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机构:
西安微电子技术研究所
西安微电子技术研究所
王清波
.
中国专利
:CN116301159B
,2025-10-10
[30]
带隙基准电压源
[P].
周烨
论文数:
0
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0
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周烨
;
周金风
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周金风
;
季海梅
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季海梅
;
章志莹
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章志莹
;
李芳芳
论文数:
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0
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李芳芳
.
中国专利
:CN103901937B
,2014-07-02
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