半导体结构及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210652207.1

申请日：

2022-06-10

公开(公告)号：

CN114899221A

公开(公告)日：

2022-08-12

发明(设计)人：

李浩南张永杰周永昌黄晓辉董琪琪

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2916 H01L29739 H01L21331

代理机构：

北京市一法律师事务所 11654

代理人：

樊文娜;刘荣娟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

李浩南 ;

张永杰 ;

周永昌 ;

黄晓辉 ;

董琪琪 .

中国专利 :CN114914294A ,2022-08-16

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

庄景诚 .

中国专利 :CN113471196A ,2021-10-01

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN118401092A ,2024-07-26

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

H·杰加纳森 ;

S·K·卡纳卡萨巴帕斯 .

中国专利 :CN103258852A ,2013-08-21

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡连峰 .

中国专利 :CN113594365A ,2021-11-02

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴忠育 ;

曾自立 ;

林俐齐 .

中国专利 :CN114999997A ,2022-09-02

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

庄景诚 .

中国专利 :CN113471196B ,2024-03-08

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

肖德元 .

中国专利 :CN118870800A ,2024-10-29

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡耀庭 ;

许博砚 .

中国专利 :CN119545799A ,2025-02-28

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯道欢 ;

蒋懿 ;

肖德元 .

中国专利 :CN118870800B ,2025-09-19

← 1 2 3 4 5 →