半导体激光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980093815.X

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN113544919A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

内海秀之河上翔田中良宜

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01S502345

IPC分类号：

H01S50237 H01S5042 H01S522

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳;王昊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	公开	公开
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/02345 申请日:20191129

共 50 条

[1]

半导体激光装置 [P].

内海秀之 ;

河上翔 ;

田中良宜 .

日本专利 :CN113544919B ,2024-07-02

[2]

半导体激光元件和半导体激光装置 [P].

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101030696A ,2007-09-05

[3]

半导体激光装置 [P].

鴫原君男 .

中国专利 :CN111095700B ,2020-05-01

[4]

半导体激光装置 [P].

中山毅 .

中国专利 :CN1484350A ,2004-03-24

[5]

半导体激光装置 [P].

足立知树 .

中国专利 :CN110364928A ,2019-10-22

[6]

半导体激光装置 [P].

川崎和重 ;

中川康幸 ;

松冈裕益 .

中国专利 :CN101257187B ,2008-09-03

[7]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

日本专利 :CN114762201B ,2024-12-20

[8]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

中国专利 :CN114762201A ,2022-07-15

[9]

氮化物半导体激光元件及半导体激光装置 [P].

野口哲宽 ;

谷善彦 ;

谷本佳美 ;

津田有三 .

中国专利 :CN111490455A ,2020-08-04

[10]

半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统 [P].

池户教夫 ;

中谷东吾 ;

冈口贵大 ;

横山毅 ;

薮下智仁 ;

高山彻 .

中国专利 :CN110402524B ,2019-11-01

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