半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880017229.2

申请日：

2018-02-27

公开(公告)号：

CN110402524B

公开(公告)日：

2019-11-01

发明(设计)人：

池户教夫中谷东吾冈口贵大横山毅薮下智仁高山彻

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01S522

IPC分类号：

H01S520

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

韩丁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01S 5/22 登记生效日:20200602 变更事项:申请人变更前权利人:松下知识产权经营株式会社变更后权利人:松下半导体解决方案株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本国大阪府变更后权利人:日本京都府
2019-11-01	公开	公开
2021-02-02	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/22 变更事项:申请人变更前:松下半导体解决方案株式会社变更后:新唐科技日本株式会社变更事项:地址变更前:日本京都府变更后:日本京都府
2019-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/22 申请日:20180227
2021-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源系统 [P].

池户教夫 ;

中谷东吾 ;

冈口贵大 ;

横山毅 ;

薮下智仁 ;

高山彻 .

中国专利 :CN109417274B ,2019-03-01

[2]

半导体激光光源模块、半导体激光装置 [P].

山田仁 ;

帆足善明 .

中国专利 :CN113994554A ,2022-01-28

[3]

半导体激光光源模块、半导体激光装置 [P].

山田仁 ;

帆足善明 .

日本专利 :CN113994554B ,2024-08-23

[4]

半导体激光元件和半导体激光装置 [P].

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101030696A ,2007-09-05

[5]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

中国专利 :CN113454857A ,2021-09-28

[6]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

日本专利 :CN113454857B ,2024-11-01

[7]

半导体激光装置 [P].

鴫原君男 .

中国专利 :CN111095700B ,2020-05-01

[8]

半导体激光器以及半导体激光装置 [P].

篠原弘介 .

日本专利 :CN115989620B ,2025-02-25

[9]

半导体激光装置 [P].

内海秀之 ;

河上翔 ;

田中良宜 .

中国专利 :CN113544919A ,2021-10-22

[10]

半导体激光装置 [P].

内海秀之 ;

河上翔 ;

田中良宜 .

日本专利 :CN113544919B ,2024-07-02

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