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半导体器件制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010601565.7
申请日：
2010-12-22
公开(公告)号：
CN102569161B
公开(公告)日：
2012-07-11
发明(设计)人：
刘俊文
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L21304
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
常亮;李辰
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-06-04 | 授权 | 授权 |
| 2012-09-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324730730 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2010106015657 申请日:20101222 |
| 2017-12-19 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171130 变更事项:专利权人 变更前权利人:无锡华润上华半导体有限公司 变更后权利人:无锡华润上华科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 变更后权利人:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更事项:共同专利权人 变更前权利人:无锡华润上华科技有限公司 |
| 2012-07-11 | 公开 | 公开 |