半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010116394.2

申请日：

2020-02-25

公开(公告)号：

CN111293038B

公开(公告)日：

2020-06-16

发明(设计)人：

于涛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21762 H01L29423

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	授权	授权
2020-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200225
2020-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

许飞 ;

王梦慧 ;

杨宗凯 ;

陈信全 .

中国专利 :CN114927465A ,2022-08-19

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

杜建 ;

李佳佳 ;

方浩 .

中国专利 :CN102479677A ,2012-05-30

[3]

制造半导体器件的方法 [P].

李俊坤 ;

黄国泰 ;

富田隆治 .

中国专利 :CN109671676A ,2019-04-23

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

苗良爽 ;

冯桂源 ;

刘洋 ;

黄志龙 ;

王菊飞 ;

官亚洲 ;

施敏 .

中国专利 :CN117954308A ,2024-04-30

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

刘冲 ;

任媛媛 ;

严强生 ;

陈宏 ;

曹秀亮 .

中国专利 :CN113192878A ,2021-07-30

[6]

半导体器件制造方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN102569161B ,2012-07-11

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文博 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN103531627B ,2014-01-22

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119967892A ,2025-05-09

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

瓜生胜美 ;

楢崎敦司 .

中国专利 :CN1527402A ,2004-09-08

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

孟春苗 .

中国专利 :CN121218649A ,2025-12-26

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