功率半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010138629.4

申请日：

2004-12-29

公开(公告)号：

CN101794817A

公开(公告)日：

2010-08-04

发明(设计)人：

阿肖克·沙拉艾伦·埃尔班霍威克里斯托弗·B·科康史蒂文·P·萨普彼得·H·威尔逊巴巴克·S·萨尼

申请人：

申请人地址：

美国缅因州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2940 H01L2706 H01L21336 H01L2177

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴贵明;李慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006071542 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101386294 申请日:20041229
2021-12-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20041229 授权公告日:20130403 终止日期:20201229
2010-08-04	公开	公开
2013-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件及制造方法 [P].

阿肖克·沙拉 ;

艾伦·埃尔班霍威 ;

克里斯托弗·B·科康 ;

史蒂文·P·萨普 ;

彼得·H·威尔逊 ;

巴巴克·S·萨尼 .

中国专利 :CN101180737B ,2008-05-14

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

曾泉 ;

纪刚 ;

钟添宾 ;

倪凯彬 ;

张雄英 ;

顾建平 .

中国专利 :CN101556967B ,2009-10-14

[3]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率器件 [P].

魏晓光 ;

李立 ;

王耀华 ;

高明超 ;

刘瑞 ;

李玲 .

中国专利 :CN117810251A ,2024-04-02

[4]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

李宋伟 ;

唐新灵 ;

刘瑞 ;

李玲 ;

苑广安 ;

纪瑞朗 ;

吴沛飞 .

中国专利 :CN118748201A ,2024-10-08

[5]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

李宋伟 ;

唐新灵 ;

刘瑞 ;

李玲 ;

苑广安 ;

纪瑞朗 ;

吴沛飞 .

中国专利 :CN118748201B ,2025-06-06

[6]

功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法 [P].

苏梨梨 ;

曹俊 ;

敖利波 ;

史波 ;

马浩华 .

中国专利 :CN113394204B ,2021-09-14

[7]

一种功率半导体器件及制造方法 [P].

王怀锋 .

中国专利 :CN109037337A ,2018-12-18

[8]

功率半导体器件及制造工艺 [P].

赖海波 .

中国专利 :CN104241383B ,2014-12-24

[9]

平面功率半导体器件 [P].

周翔 ;

郑辉 .

中国专利 :CN114649397A ,2022-06-21

[10]

平面功率半导体器件 [P].

周翔 ;

郑辉 .

中国专利 :CN114649397B ,2025-08-26

← 1 2 3 4 5 →