平面功率半导体器件

被引：0

申请号：

CN202011518527.5

申请日：

2020-12-21

公开(公告)号：

CN114649397A

公开(公告)日：

2022-06-21

发明(设计)人：

周翔郑辉

申请人：

申请人地址：

226000 江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	公开	公开
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201221

共 50 条

[1]

平面功率半导体器件 [P].

周翔 ;

郑辉 .

中国专利 :CN114649397B ,2025-08-26

[2]

功率半导体器件及功率半导体器件的制备方法 [P].

喻慧 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119486237A ,2025-02-18

[3]

一种功率半导体器件 [P].

乔明 ;

江逸洵 ;

冯骏波 ;

张波 .

中国专利 :CN111293177A ,2020-06-16

[4]

功率半导体器件及制造方法 [P].

阿肖克·沙拉 ;

艾伦·埃尔班霍威 ;

克里斯托弗·B·科康 ;

史蒂文·P·萨普 ;

彼得·H·威尔逊 ;

巴巴克·S·萨尼 .

中国专利 :CN101180737B ,2008-05-14

[5]

功率半导体器件及制造方法 [P].

阿肖克·沙拉 ;

艾伦·埃尔班霍威 ;

克里斯托弗·B·科康 ;

史蒂文·P·萨普 ;

彼得·H·威尔逊 ;

巴巴克·S·萨尼 .

中国专利 :CN101794817A ,2010-08-04

[6]

一种功率半导体器件 [P].

汪志刚 ;

杨大力 ;

王亚南 ;

王冰 .

中国专利 :CN105336765A ,2016-02-17

[7]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN111326575B ,2025-05-13

[8]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN111326575A ,2020-06-23

[9]

功率半导体器件 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN207398150U ,2018-05-22

[10]

功率半导体器件 [P].

周锌 ;

赵凯 ;

王睿迪 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109698196A ,2019-04-30

← 1 2 3 4 5 →