一种钨铼薄膜热电偶传感芯片的封装结构及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610098465.4
申请日
2016-02-23
公开(公告)号
CN105651406B
公开(公告)日
2016-06-08
发明(设计)人
田边 郑晨 张仲恺 任巍 蒋庄德
申请人
申请人地址
710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
IPC主分类号
G01K702
IPC分类号
H01L2331
代理机构
西安通大专利代理有限责任公司 61200
代理人
刘强
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜热电偶传感器芯片的封装结构 [P]. 
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[2]
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张仲恺 ;
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蒋庄德 .
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[3]
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杜喆 ;
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[4]
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田边 ;
张仲恺 ;
郑晨 ;
史鹏 ;
蒋庄德 .
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[5]
一种钨铼热电偶 [P]. 
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[6]
高温陶瓷基薄膜热电偶及其制作方法 [P]. 
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[7]
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[8]
一种辐射温度测量的钨铼热电偶的制造方法及钨铼热电偶 [P]. 
薛晨阳 ;
海振银 ;
刘志春 ;
陈越 ;
苏智轩 .
中国专利 :CN119465110B ,2025-05-09
[9]
一种梯度钨铼热电偶 [P]. 
王魁汉 .
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[10]
一种探头式薄膜热电偶温度传感器及其制作方法 [P]. 
马炳和 ;
邱涛 ;
金新航 ;
邓进军 ;
苑伟政 ;
姜澄宇 .
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