掩膜的沉积方法、掩膜及半导体器件的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410127676.7

申请日：

2014-03-31

公开(公告)号：

CN104947085B

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

周鸣

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

C23C16513

IPC分类号：

C23C1604 H01L21311

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴贵明;张永明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-19	授权	授权
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631732639 IPC(主分类):C23C 16/513 专利申请号:2014101276767 申请日:20140331
2015-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法 [P].

野泽顺 ;

宍戸博明 ;

酒井和也 .

中国专利 :CN110554561A ,2019-12-10

[2]

掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法 [P].

野泽顺 ;

宍戸博明 ;

酒井和也 .

中国专利 :CN110673435A ,2020-01-10

[3]

光掩膜、掩膜图形的生成方法及半导体器件的制造方法 [P].

中尾修治 .

中国专利 :CN1854892A ,2006-11-01

[4]

掩膜版、半导体器件的制造方法 [P].

李寒骁 ;

陈金星 ;

马霏霏 .

中国专利 :CN113485069A ,2021-10-08

[5]

硬掩膜层的制作方法、层间介质层的制作方法及半导体器件 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN105990105B ,2016-10-05

[6]

生成掩膜数据、掩膜、记录介质的方法和制造半导体器件的方法 [P].

森克己 .

中国专利 :CN1405858A ,2003-03-26

[7]

光掩膜、半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

许志颖 ;

尹兰 ;

田艳争 .

中国专利 :CN105573045B ,2016-05-11

[8]

硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备 [P].

裴凯 ;

王晓雯 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

王文渊 ;

刘少康 .

中国专利 :CN120809574B ,2025-11-21

[9]

硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备 [P].

裴凯 ;

王晓雯 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

王文渊 ;

刘少康 .

中国专利 :CN120809574A ,2025-10-17

[10]

一种掩膜图案的形成方法及掩膜图案、半导体器件 [P].

金吉松 ;

朱赛亚 ;

庞军玲 .

中国专利 :CN111987099A ,2020-11-24

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