通过刻蚀不足缺陷检测多晶硅与连接孔对准度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410390797.0

申请日：

2014-08-08

公开(公告)号：

CN104134619B

公开(公告)日：

2014-11-05

发明(设计)人：

范荣伟陈宏璘龙吟顾晓芳倪棋梁

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L2168

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

王宏婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-05	公开	公开
2017-03-08	授权	授权
2014-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101590929837 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2014103907970 申请日:20140808

共 50 条

[1]

检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法 [P].

范荣伟 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103346103B ,2013-10-09

[2]

检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

倪棋梁 .

中国专利 :CN103346100B ,2013-10-09

[3]

采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法 [P].

范荣伟 ;

倪棋梁 ;

龙吟 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103887195B ,2014-06-25

[4]

检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法 [P].

范荣伟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 ;

龙吟 .

中国专利 :CN103346107A ,2013-10-09

[5]

测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法 [P].

范荣伟 ;

刘飞珏 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103354212A ,2013-10-16

[6]

测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法 [P].

范荣伟 ;

顾晓芳 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103354211A ,2013-10-16

[7]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

向磊 .

中国专利 :CN112820640A ,2021-05-18

[8]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

向磊 .

中国专利 :CN112820640B ,2024-06-14

[9]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

陈敏杰 ;

许进 ;

唐在峰 ;

任昱 .

中国专利 :CN114038739A ,2022-02-11

[10]

一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法 [P].

倪棋梁 ;

陈宏璘 ;

王洲男 ;

龙吟 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102723294A ,2012-10-10

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