一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210204463.0

申请日：

2012-06-20

公开(公告)号：

CN102723294A

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

倪棋梁陈宏璘王洲男龙吟郭明升

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

王敏杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101359121893 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2012102044630 申请日:20120620
2012-10-10	公开	公开

共 50 条

[1]

检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法 [P].

范荣伟 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103346103B ,2013-10-09

[2]

检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法 [P].

范荣伟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 ;

龙吟 .

中国专利 :CN103346107A ,2013-10-09

[3]

检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

倪棋梁 .

中国专利 :CN103346100B ,2013-10-09

[4]

测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法 [P].

范荣伟 ;

刘飞珏 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103354212A ,2013-10-16

[5]

测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法 [P].

范荣伟 ;

顾晓芳 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103354211A ,2013-10-16

[6]

提高自对准接触孔击穿电压的方法和多晶硅栅极结构 [P].

迟玉山 ;

吕煜坤 .

中国专利 :CN101452814B ,2009-06-10

[7]

一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437500B ,2017-12-05

[8]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

张翼英 .

中国专利 :CN104022026B ,2014-09-03

[9]

打开多晶硅栅极的方法 [P].

林宏 .

中国专利 :CN103928310B ,2014-07-16

[10]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

王卉 ;

陈广龙 ;

李志国 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN118919405A ,2024-11-08

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