一种钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410532109.X

申请日：

2014-10-11

公开(公告)号：

CN104294365A

公开(公告)日：

2015-01-21

发明(设计)人：

周世斌沈定中

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市蒲江县鹤山镇工业开发区

IPC主分类号：

C30B2934

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214

代理人：

孙杰;曾晓波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599223765 IPC(主分类):C30B 29/34 专利申请号:201410532109X 申请日:20141011
2017-06-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法 [P].

周世斌 ;

沈定中 ;

林东科 .

中国专利 :CN104073877A ,2014-10-01

[2]

一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法 [P].

周世斌 ;

王桂素 ;

沈定中 .

中国专利 :CN105220234B ,2016-01-06

[3]

一种生长三价铈离子掺杂硅酸钇镥闪烁晶体的方法 [P].

沈思情 ;

刘浦锋 ;

肖型奎 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN103849933B ,2014-06-11

[4]

一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法 [P].

彭方 ;

郭玉勇 ;

王晓梅 ;

马孙明 .

中国专利 :CN108560053A ,2018-09-21

[5]

掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法 [P].

严成锋 ;

赵广军 ;

徐军 ;

介眀印 ;

庞辉勇 ;

张连翰 ;

夏长泰 ;

杭寅 .

中国专利 :CN1648290A ,2005-08-03

[6]

一种铈掺杂硅酸钇镥晶体的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119265704A ,2025-01-07

[7]

硅酸钇镥晶体的生长方法 [P].

潘磊 ;

狄聚青 ;

刘运连 .

中国专利 :CN118223109A ,2024-06-21

[8]

铈掺杂硅酸钇镥晶体的制备方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 .

中国专利 :CN107326439A ,2017-11-07

[9]

一种Al、Ga/Ce共掺硅酸钇镥闪烁晶体材料及退火方法 [P].

丁雨憧 ;

岑伟 ;

屈菁菁 ;

王强 .

中国专利 :CN115044373A ,2022-09-13

[10]

一种大尺寸掺铈铝酸钇闪烁晶体的生长工艺 [P].

王桂素 ;

石全州 ;

张永珍 .

中国专利 :CN104005082A ,2014-08-27

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