一种坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410294076.X

申请日：

2014-06-27

公开(公告)号：

CN104073877A

公开(公告)日：

2014-10-01

发明(设计)人：

周世斌沈定中林东科

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市蒲江县鹤山镇工业开发区

IPC主分类号：

C30B2700

IPC分类号：

C30B2934

代理机构：

成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214

代理人：

吴彦峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-01	公开	公开
2017-12-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 27/00 申请公布日:20141001
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587982875 IPC(主分类):C30B 27/00 专利申请号:201410294076X 申请日:20140627

共 50 条

[1]

一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法 [P].

周世斌 ;

王桂素 ;

沈定中 .

中国专利 :CN105220234B ,2016-01-06

[2]

一种钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺 [P].

周世斌 ;

沈定中 .

中国专利 :CN104294365A ,2015-01-21

[3]

一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 [P].

吴少凡 ;

叶宁 ;

苏伟平 .

中国专利 :CN202465955U ,2012-10-03

[4]

制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法 [P].

吴少凡 ;

叶宁 ;

苏伟平 .

中国专利 :CN102560647A ,2012-07-11

[5]

一种生长三价铈离子掺杂硅酸钇镥闪烁晶体的方法 [P].

沈思情 ;

刘浦锋 ;

肖型奎 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN103849933B ,2014-06-11

[6]

掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法 [P].

严成锋 ;

赵广军 ;

徐军 ;

介眀印 ;

庞辉勇 ;

张连翰 ;

夏长泰 ;

杭寅 .

中国专利 :CN1648290A ,2005-08-03

[7]

硅酸钇镥晶体的生长方法 [P].

潘磊 ;

狄聚青 ;

刘运连 .

中国专利 :CN118223109A ,2024-06-21

[8]

一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法 [P].

彭方 ;

郭玉勇 ;

王晓梅 ;

马孙明 .

中国专利 :CN108560053A ,2018-09-21

[9]

铈掺杂硅酸钇镥晶体的制备方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 .

中国专利 :CN107326439A ,2017-11-07

[10]

硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术 [P].

周娟 ;

徐家跃 ;

华王祥 ;

范世 .

中国专利 :CN1196816C ,2003-01-08

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