一种生长三价铈离子掺杂硅酸钇镥闪烁晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310746047.8

申请日：

2013-12-30

公开(公告)号：

CN103849933B

公开(公告)日：

2014-06-11

发明(设计)人：

沈思情刘浦锋肖型奎宋洪伟陈猛

申请人：

申请人地址：

201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号

IPC主分类号：

C30B2934

IPC分类号：

C30B1500 C30B3302

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

潘振甦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	公开	公开
2014-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583599902 IPC(主分类):C30B 29/34 专利申请号:2013107460478 申请日:20131230
2021-10-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 29/34 变更事项:专利权人变更前:上海超硅半导体有限公司变更后:上海超硅半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号变更后:201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号
2016-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺 [P].

周世斌 ;

沈定中 .

中国专利 :CN104294365A ,2015-01-21

[2]

一种坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法 [P].

周世斌 ;

沈定中 ;

林东科 .

中国专利 :CN104073877A ,2014-10-01

[3]

铈掺杂硅酸钇镥晶体的制备方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 .

中国专利 :CN107326439A ,2017-11-07

[4]

一种铈掺杂硅酸钇镥晶体的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119265704A ,2025-01-07

[5]

掺三价铈离子的正硅酸盐闪烁晶体的制备方法 [P].

曾雄辉 ;

夏长泰 ;

徐军 ;

赵广军 ;

何晓明 ;

张连翰 ;

介明印 ;

庞辉勇 ;

李抒智 .

中国专利 :CN1563517A ,2005-01-12

[6]

掺三价铈离子稀土硅酸盐闪烁晶体的制备方法 [P].

赵广军 ;

介明印 ;

徐军 ;

庞辉勇 ;

何晓明 .

中国专利 :CN1259465C ,2004-12-08

[7]

硅酸钇镥晶体的生长方法 [P].

潘磊 ;

狄聚青 ;

刘运连 .

中国专利 :CN118223109A ,2024-06-21

[8]

掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法 [P].

曾雄辉 ;

徐军 ;

赵广军 ;

李红军 ;

何晓明 ;

庞辉勇 ;

介明印 ;

王静雅 ;

张连翰 ;

杭寅 .

中国专利 :CN1560332A ,2005-01-05

[9]

掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法 [P].

严成锋 ;

赵广军 ;

徐军 ;

介眀印 ;

庞辉勇 ;

张连翰 ;

夏长泰 ;

杭寅 .

中国专利 :CN1648290A ,2005-08-03

[10]

一种Hf、Ce共掺杂的硅酸钇镥闪烁晶体、其制备方法和应用 [P].

邹征刚 ;

邹声鹏 ;

梁玲 ;

孙益坚 ;

温和瑞 .

中国专利 :CN121046079A ,2025-12-02

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