等离子体产生装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201780089028.9
申请日
2017-04-04
公开(公告)号
CN110463353B
公开(公告)日
2019-11-15
发明(设计)人
神藤高广 泷川慎二 东田明洋 日下航
申请人
申请人地址
日本爱知县知立市
IPC主分类号
H05H100
IPC分类号
H05H124
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
杨青;安翔
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P]. 
熊谷裕典 ;
今井伸一 .
中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04
[2]
等离子体产生装置以及等离子体产生方法 [P]. 
岩田卓也 ;
池户俊之 .
日本专利 :CN117596763A ,2024-02-23
[3]
等离子体产生装置 [P]. 
权基中 ;
李尚元 ;
伍赛宪 ;
金宰贤 ;
洪宝翰 ;
李英关 .
中国专利 :CN1822745A ,2006-08-23
[4]
等离子体产生装置 [P]. 
林瑞堉 ;
寇崇善 ;
王腾纬 ;
潘彦儒 ;
张子青 ;
俞志杰 .
中国专利 :CN101316474A ,2008-12-03
[5]
等离子体产生装置 [P]. 
王杰 ;
张文龙 ;
邰寒松 ;
张奥男 ;
黄云彪 .
中国专利 :CN216491169U ,2022-05-10
[6]
等离子体产生装置 [P]. 
徐相勋 ;
郑成炫 .
中国专利 :CN106416431B ,2017-02-15
[7]
等离子体产生装置 [P]. 
山田幸香 ;
宫本诚 ;
竹之下一利 ;
寺尾芳孝 ;
平井伸岳 .
中国专利 :CN103988587A ,2014-08-13
[8]
等离子体产生装置 [P]. 
权基中 ;
李尚元 ;
伍赛宪 ;
金宰贤 ;
洪宝翰 ;
李英关 .
中国专利 :CN102065627B ,2011-05-18
[9]
等离子体产生装置 [P]. 
池户俊之 ;
神藤高广 ;
岩田卓也 .
日本专利 :CN120153765A ,2025-06-13
[10]
等离子体产生装置 [P]. 
池户俊之 .
日本专利 :CN119054417A ,2024-11-29