等离子体产生装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280095115.6

申请日：

2022-08-22

公开(公告)号：

CN119054417A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

池户俊之

申请人：

株式会社富士

申请人地址：

日本国爱知县

IPC主分类号：

H05H1/34

IPC分类号：

代理机构：

北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444

代理人：

权圣;王刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	公开	公开
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H05H 1/34申请日:20220822

共 50 条

[1]

等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P].

熊谷裕典 ;

今井伸一 .

中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04

[2]

等离子体产生装置 [P].

日下航 .

中国专利 :CN110419268A ,2019-11-05

[3]

等离子体产生装置以及等离子体产生方法 [P].

岩田卓也 ;

池户俊之 .

日本专利 :CN117596763A ,2024-02-23

[4]

等离子体产生装置及等离子体照射方法 [P].

神藤高广 ;

池户俊之 .

中国专利 :CN109565921A ,2019-04-02

[5]

等离子体产生装置 [P].

权基中 ;

李尚元 ;

伍赛宪 ;

金宰贤 ;

洪宝翰 ;

李英关 .

中国专利 :CN1822745A ,2006-08-23

[6]

等离子体产生装置 [P].

林瑞堉 ;

寇崇善 ;

王腾纬 ;

潘彦儒 ;

张子青 ;

俞志杰 .

中国专利 :CN101316474A ,2008-12-03

[7]

等离子体产生装置 [P].

王杰 ;

张文龙 ;

邰寒松 ;

张奥男 ;

黄云彪 .

中国专利 :CN216491169U ,2022-05-10

[8]

等离子体产生装置 [P].

神藤高广 ;

泷川慎二 ;

东田明洋 ;

日下航 .

中国专利 :CN110463353B ,2019-11-15

[9]

等离子体产生装置 [P].

徐相勋 ;

郑成炫 .

中国专利 :CN106416431B ,2017-02-15

[10]

等离子体产生装置 [P].

山田幸香 ;

宫本诚 ;

竹之下一利 ;

寺尾芳孝 ;

平井伸岳 .

中国专利 :CN103988587A ,2014-08-13

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